参数资料
型号: DSEP40-03AS
厂商: IXYS
文件页数: 2/5页
文件大小: 120K
描述: DIODE HFRED 300V 40A TO-263
标准包装: 800
系列: HiPerFRED™
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 300V
电流 - 平均整流 (Io): 40A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.44V @ 40A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 35ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 300V
电容@ Vr, F: 50pF @ 150V, 1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 带卷 (TR)
其它名称: DSEP40-03AS-ND
DSEP40-03ASTR
DSEP40-03AS
ns
3.5
A
TVJ
=°C25
reverse recovery time
A
7
35
55
ns
IRM
max. reverse recovery current
IF
=A;30
VR
=V200
T=125°CVJ
-diF/dt
=A/μs200
trr
TVJ
=°C25
T=125°CVJ
V = VR
300
Symbol Definition
Ratings
typ. max.
IR
V
IFAV
A
VF
1.46
RthJC
0.85 K/W
min.
40
VRSM
V
5
T = 25°CVJ
T = °CVJ
150
mA
0.1
V = VR
300
T = 25°CVJ
I = AF
40
V
T = °CC
120
Ptot
175
W
T = 25°CC
RthCH
K/W
max. non-repetitive reverse blocking voltage
reverse current, drain current
forward voltage drop
total power dissipation
Conditions
Unit
1.85
T = 25°CVJ
VF0
V
0.72
T = °CVJ
175
rF
10.7
m?
V
1.20
T = °CVJ
150
I = AF
40
V
1.63
I = AF
80
I = AF
80
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
μA
VRRM
V
300
max. repetitive reverse blocking voltage
T = 25°CVJ
CJ
50
junction capacitance
V = VR
150 T = 25°Cf = 1 MHz
VJ
pF
IFSM
t = 10 ms; (50 Hz), sine; T = 45°CV = 0 VR
VJ
max. forward surge current
T = °CVJ
175
340
A
rectangular 0.5d =
average forward current
thermal resistance junction to case
thermal resistance case to heatsink
Fast Diode
300
0.25
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20130320b
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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