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参数资料
| 型号： | DSEP8-06B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 48K |
| 描述： | DIODE FRED 600V 10A TO-220AC |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.66V @ 10A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 60µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
                ? 2004 IXYS All rights reserved 1 - 2 DSEP 8-06B 418 IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions. IFAV VRRM = 600 V trr = 30 ns = 10 A VRSM VRRM Type V V 600 600 DSEP 8-06B Symbol Conditions Maximum Ratings IFRMS IFAVM 35 A TC = 125°C; rectangular, d = 0.5 10 A IFSM TVJ = 45°C; t p = 10 ms (50 Hz), sine 50 A EAS TVJ = 25°C; non-repetitive 0.1 mJ IAS = 0.9 A; L = 180 μH IAR VA = 1.5 ·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive 0.1 A TVJ TVJM Tstg -55...+175 °C 175 °C -55...+150 °C Ptot TC = 25°C 60 W Md mounting torque 0.4...0.6 Nm Weight typical 2 g Symbol Conditions Characteristic Values typ. max. IR ① TVJ = 25°C V R = VRRM TVJ = 150°C V R = VRRM 60 μA 0.25 mA VF ② IF = 10 A; T VJ = 150°C 1.66 V TVJ = 25°C 2.66 V RthJC RthCH 2.5 K/W 0.5 K/W trr IF = 1 A; -di/dt = 50 A/μs; 30 ns VR = 30 V; T VJ = 25°C IRM VR = 100 V; I F = 12 A; -di F/dt = 100 A/μs 2.4 A TVJ = 100°C HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery Features International standard package Planar passivated chips Very short recovery time Extremely low switching losses Low IRM-values Soft recovery behaviour Epoxy meets UL 94V-0 Applications Antiparallel diode for high frequency switching devices Antisaturation diode Snubber diode Free wheeling diode in converters and motor control circuits Rectifiers in switch mode power supplies (SMPS) Inductive heating Uninterruptible power supplies (UPS) Ultrasonic cleaners and welders Advantages Avalanche voltage rated for reliable operation Soft reverse recovery for low EMI/RFI Low IRM reduces: - Power dissipation within the diode - Turn-on loss in the commutating switch Dimensions see Outlines.pdf Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 % ② Pulse Width = 300 μs, Duty Cycle < 2.0 % Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified: A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode C A TO-220 AC C (TAB) C A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DSEP8-12A | DIODE 1200V 10A TO220AC |
| DSEP9-06CR | DIODE FRED 600V 9A ISOPLUS-247 |
| DSI30-12AC | DIODE RECT 1200V 30A ISOPLUS220 |
| DSI45-08A | DIODE SGL 800V 48A TO-247AD |
| DSI45-12A | DIODE SGL 1200V 45A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSEP8-12A | 功能描述:整流器 8 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSEP9-06CR | 功能描述:整流器 600V 9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSERIENT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:D Series Narrow Tolerance |
| DS-ETH-ST-U1 | 功能描述:开发软件 Ethernet IP Suite RoHS:否 制造商:Atollic Inc. 产品:Compilers/Debuggers 用于:ARM7, ARM9, Cortex-A, Cortex-M, Cortex-R Processors |
| DSETUC290WEV3 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:CHASSIS ASSY (S/S/R32C240 |
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