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参数资料
| 型号： | DSI17-08A |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 37K |
| 描述： | DIODE SGL 800V 25A DO-203AA |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 雪崩 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 800V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 25A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.36V @ 55A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 4mA @ 800V |
| 安装类型： | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳： | DO-203AA，DO-4，接线柱 |
| 供应商设备封装： | DO-203AA |
| 包装： | 散装 |
          ? 2000 IXYS All rights reserved 1 - 2 VRSM V(BR)min VRRM Anode Cathode V V V on stud on stud 900 - 800 DS17-08A DSI17-08A 1300 - 1200 DS17-12A DSI17-12A 1300 1300 1200 DSA17-12A DSAI17-12A 1700 1750 1600 DSA17-16A DSAI17-16A 1900 1950 1800 DSA17-18A DSAI17-18A Only for Avalanche Diodes Symbol Test Conditions Maximum Ratings I IF(RMS)F(AV)M T TVJcase = 125C; 180 sine 25 A = TVJM 40 A PRSM DSA(I) types, TVJ = T VJM, tp = 10 s7kWInternational standard package,JEDEC DO-203 AA (DO-4) IFSM T VVJR = 45C; t = 10 ms (50 Hz), sine 370 A = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 400 A T VVJR = T = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 320 AVJM t = 10 ms (50 Hz), sine 300 A I2t T VVJR = 45C t = 10 ms (50 Hz), sine 680 A2s = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 660 A2s T VVJR = T = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 430 AVJM 2s t = 10 ms (50 Hz), sine 450 A2s T TVJ TVJMstg -40...+180 C 180 C -40...+180 C Md Mounting torque 2.2-2.8 Nm 19-25 lb.in. Weight 6gDimensions in mm (1 mm = 0.0394") VRRM = 800-1800 V I F(RMS)= 40 A IF(AV)M = 25 A Features Planar glassivated chips Applications Supplies for DC power equipment DC supply for PWM inverter Field supply for DC motors Battery DC power supplies Advantages Space and weight savings Simple mounting Improved temperature and power cycling Reduced protection circuits Symbol Test Conditions Characteristic Values IR TVJ = TVJM; VR = V RRM 4mA VF IF= 55 A; TVJ = 25 C 1.36 V V r T0 T For power-loss calculations only 0.85 V TVJ = TVJM 8m R RthJCthJH DC current 1.5 K/W DC current 2.1 K/W d dS aA Creepage distance on surface 2.05 mm Strike distance through air 2.05 mm Max. allowable acceleration 100 m/s2 Data according to IEC 60747 IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions DS 17 DSI 17 DSA 17 DSAI 17 Rectifier Diode Avalanche Diode A = Anode C = Cathode DO-203 AA 10-32UNF DS DSIA DSA DSAI C C A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7-747840-1 | CONN D-SUB PLUG R/A 9POS AU T/H |
| RS-0515D/H3 | CONV DC/DC 2W 4.5-9VIN +/-15V |
| GSM02DSEN-S243 | CONN EDGECARD 4POS .156 EYELET |
| 1N914TR | DIODE SS HI COND100V 200MA DO-35 |
| 747845-5 | CONN D-SUB RCPT R/A 15POS PCB AU |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSI17-12A | 功能描述:整流器 17 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSI2X55 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Rectifier Diode |
| DSI2x55-12A | 功能描述:分立半导体模块 110 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| DSI2x55-16A | 功能描述:分立半导体模块 110 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| DSI30-08A | 功能描述:整流器 30 Amps 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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