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参数资料
| 型号： | DSPIC30F3012T-20E/SO |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 36/66页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DSPIC MCU/DSP 24K 18SOIC |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus |
| 标准包装： | 1,100 |
| 系列： | dsPIC™ 30F |
| 核心处理器： | dsPIC |
| 芯体尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 20 MIPS |
| 连通性： | I²C，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 12 |
| 程序存储器容量： | 24KB（8K x 24） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 1K x 8 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 8x12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 配用： | AC30F005-ND - MODULE SCKT DSPIC30F 18DIP/SOIC |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页当前第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页
2010 Microchip Technology Inc.
DS70102K-page 41
dsPIC30F Flash Programming Specification
Step 6: Update the row address stored in NVMADRU:NVMADR. When W6 rolls over to 0x0, NVMADRU must be
incremented.
0000
430307
AF0042
EC2764
883B16
ADD
W6, W7, W6
BTSC
SR, #C
INC
NVMADRU
MOV
W6, NVMADR
Step 7: Reset device internal PC.
0000
040100
000000
GOTO 0x100
NOP
Step 8: Repeat Steps 3-7 until all rows of code memory are erased.
Step 9: Initialize NVMADR and NVMADRU to erase executive memory and initialize W7 for row address updates.
0000
EB0300
883B16
200807
883B27
200407
CLR
W6
MOV
W6, NVMADR
MOV
#0x80, W7
MOV
W7, NVMADRU
MOV
#0x40, W7
Step 10: Set NVMCON to erase 1 row of executive memory.
0000
24071A
883B0A
MOV
#0x4071, W10
MOV
W10, NVMCON
Step 11: Unlock the NVMCON to erase 1 row of executive memory.
0000
200558
883B38
200AA9
883B39
MOV
#0x55, W8
MOV
W8, NVMKEY
MOV
#0xAA, W9
MOV
W9, NVMKEY
Step 12: Initiate the erase cycle.
0000
—
0000
A8E761
000000
—
000000
A9E761
000000
BSET NVMCON, #WR
NOP
Externally time ‘P13a’ ms (see Section 13.0 “AC/DC Characteristics and
NOP
BCLR NVMCON, #WR
NOP
Step 13: Update the row address stored in NVMADR.
0000
430307
883B16
ADD
W6, W7, W6
MOV
W6, NVMADR
Step 14: Reset device internal PC.
0000
040100
000000
GOTO 0x100
NOP
Step 15: Repeat Steps 10-14 until all 24 rows of executive memory are erased.
Step 16: Initialize NVMADR and NVMADRU to erase data memory and initialize W7 for row address updates.
0000
2XXXX6
883B16
2007F6
883B16
200207
MOV
#<lower 16-bits of starting Data EEPROM address>, W6
MOV
W6, NVMADR
MOV
#0x7F, W6
MOV
W6, NVMADRU
MOV
#0x20, W7
Step 17: Set NVMCON to erase 1 row of data memory.
0000
24075A
883B0A
MOV
#0x4075, W10
MOV
W10, NVMCON
TABLE 11-5:
SERIAL INSTRUCTION EXECUTION FOR ERASING PROGRAM MEMORY
(EITHER IN LOW-VOLTAGE OR NORMAL-VOLTAGE SYSTEMS) (CONTINUED)
Command
(Binary)
Data
(Hexadecimal)
Description
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参数描述 |
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