参数资料
型号: DSPIC30F3013T-20I/ML
厂商: Microchip Technology
文件页数: 36/66页
文件大小: 0K
描述: IC DSPIC MCU/DSP 24K 44QFN
产品培训模块: Asynchronous Stimulus
标准包装: 1,600
系列: dsPIC™ 30F
核心处理器: dsPIC
芯体尺寸: 16-位
速度: 20 MIPS
连通性: I²C,SPI,UART/USART
外围设备: 欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
输入/输出数: 20
程序存储器容量: 24KB(8K x 24)
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 大小: 1K x 8
RAM 容量: 2K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 2.5 V ~ 5.5 V
数据转换器: A/D 10x12b
振荡器型: 内部
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 44-VQFN 裸露焊盘
包装: 带卷 (TR)
配用: DV164033-ND - KIT START EXPLORER 16 MPLAB ICD2
DM240001-ND - BOARD DEMO PIC24/DSPIC33/PIC32
2010 Microchip Technology Inc.
DS70102K-page 41
dsPIC30F Flash Programming Specification
Step 6: Update the row address stored in NVMADRU:NVMADR. When W6 rolls over to 0x0, NVMADRU must be
incremented.
0000
430307
AF0042
EC2764
883B16
ADD
W6, W7, W6
BTSC
SR, #C
INC
NVMADRU
MOV
W6, NVMADR
Step 7: Reset device internal PC.
0000
040100
000000
GOTO 0x100
NOP
Step 8: Repeat Steps 3-7 until all rows of code memory are erased.
Step 9: Initialize NVMADR and NVMADRU to erase executive memory and initialize W7 for row address updates.
0000
EB0300
883B16
200807
883B27
200407
CLR
W6
MOV
W6, NVMADR
MOV
#0x80, W7
MOV
W7, NVMADRU
MOV
#0x40, W7
Step 10: Set NVMCON to erase 1 row of executive memory.
0000
24071A
883B0A
MOV
#0x4071, W10
MOV
W10, NVMCON
Step 11: Unlock the NVMCON to erase 1 row of executive memory.
0000
200558
883B38
200AA9
883B39
MOV
#0x55, W8
MOV
W8, NVMKEY
MOV
#0xAA, W9
MOV
W9, NVMKEY
Step 12: Initiate the erase cycle.
0000
0000
A8E761
000000
000000
A9E761
000000
BSET NVMCON, #WR
NOP
Externally time ‘P13a’ ms (see Section 13.0 “AC/DC Characteristics and
NOP
BCLR NVMCON, #WR
NOP
Step 13: Update the row address stored in NVMADR.
0000
430307
883B16
ADD
W6, W7, W6
MOV
W6, NVMADR
Step 14: Reset device internal PC.
0000
040100
000000
GOTO 0x100
NOP
Step 15: Repeat Steps 10-14 until all 24 rows of executive memory are erased.
Step 16: Initialize NVMADR and NVMADRU to erase data memory and initialize W7 for row address updates.
0000
2XXXX6
883B16
2007F6
883B16
200207
MOV
#<lower 16-bits of starting Data EEPROM address>, W6
MOV
W6, NVMADR
MOV
#0x7F, W6
MOV
W6, NVMADRU
MOV
#0x20, W7
Step 17: Set NVMCON to erase 1 row of data memory.
0000
24075A
883B0A
MOV
#0x4075, W10
MOV
W10, NVMCON
TABLE 11-5:
SERIAL INSTRUCTION EXECUTION FOR ERASING PROGRAM MEMORY
(EITHER IN LOW-VOLTAGE OR NORMAL-VOLTAGE SYSTEMS) (CONTINUED)
Command
(Binary)
Data
(Hexadecimal)
Description
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PDF描述
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参数描述
dsPIC30F3013T-30I/ML 功能描述:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 44LD 30MIPS 24 KB RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:2 KB 最大时钟频率:40 MHz 可编程输入/输出端数量:35 定时器数量:3 设备每秒兆指令数:50 MIPs 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-44 安装风格:SMD/SMT
dsPIC30F3013T-30I/SO 功能描述:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 28LD 30MIPS 24 KB RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:2 KB 最大时钟频率:40 MHz 可编程输入/输出端数量:35 定时器数量:3 设备每秒兆指令数:50 MIPs 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-44 安装风格:SMD/SMT
dsPIC30F3014-20E/ML 功能描述:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 44LD 20MIPS 24 KB RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:2 KB 最大时钟频率:40 MHz 可编程输入/输出端数量:35 定时器数量:3 设备每秒兆指令数:50 MIPs 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-44 安装风格:SMD/SMT
dsPIC30F3014-20E/P 功能描述:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 40LD 20MIPS 24 KB RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:2 KB 最大时钟频率:40 MHz 可编程输入/输出端数量:35 定时器数量:3 设备每秒兆指令数:50 MIPs 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-44 安装风格:SMD/SMT
dsPIC30F3014-20E/PT 功能描述:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 20MIPS 24 KB RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:2 KB 最大时钟频率:40 MHz 可编程输入/输出端数量:35 定时器数量:3 设备每秒兆指令数:50 MIPs 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-44 安装风格:SMD/SMT