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参数资料
| 型号： | DSPIC33FJ256GP510T-I/PF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 169/197页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DSPIC MCU/DSP 256K 100TQFP |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | dsPIC™ 33F |
| 核心处理器： | dsPIC |
| 芯体尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 40 MIP |
| 连通性： | CAN，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | AC'97，欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 85 |
| 程序存储器容量： | 256KB（256K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 16K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 32x10b/12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-TQFP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 配用： | DM300024-ND - KIT DEMO DSPICDEM 1.1 DV164033-ND - KIT START EXPLORER 16 MPLAB ICD2 MA330012-ND - MODULE DSPIC33 100P TO 84QFP MA330011-ND - MODULE DSPIC33 100P TO 100QFP DM240001-ND - BOARD DEMO PIC24/DSPIC33/PIC32 AC164323-ND - MODULE SKT FOR 100TQFP |
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2009 Microchip Technology Inc.
DS70286C-page 71
dsPIC33FJXXXGPX06/X08/X10
5.0
FLASH PROGRAM MEMORY
The dsPIC33FJXXXGPX06/X08/X10 devices contain
internal Flash program memory for storing and
executing application code. The memory is readable,
writable and erasable during normal operation over the
entire VDD range.
Flash memory can be programmed in two ways:
1.
In-Circuit Serial Programming (ICSP)
programming capability
2.
Run-Time Self-Programming (RTSP)
ICSP allows a dsPIC33FJXXXGPX06/X08/X10 device
to be serially programmed while in the end application
circuit. This is simply done with two lines for
programming clock and programming data (one of the
alternate programming pin pairs: PGECx/PGEDx), and
three other lines for power (VDD), ground (VSS) and
Master Clear (MCLR). This allows customers to manu-
facture boards with unprogrammed devices and then
program the digital signal controller just before shipping
the product. This also allows the most recent firmware
or a custom firmware to be programmed.
RTSP is accomplished using TBLRD (table read) and
TBLWT
(table write) instructions. With RTSP, the user
can write program memory data either in blocks or
‘rows’ of 64 instructions (192 bytes) at a time or a single
program memory word, and erase program memory in
blocks or ‘pages’ of 512 instructions (1536 bytes) at a
time.
5.1
Table Instructions and Flash
Programming
Regardless of the method used, all programming of
Flash memory is done with the table read and table
write instructions. These allow direct read and write
access to the program memory space from the data
memory while the device is in normal operating mode.
The 24-bit target address in the program memory is
formed using bits<7:0> of the TBLPAG register and the
Effective Address (EA) from a W register specified in
the table instruction, as shown in Figure 5-1.
The TBLRDL and the TBLWTL instructions are used to
read or write to bits<15:0> of program memory.
TBLRDL
and TBLWTL can access program memory in
both Word and Byte modes.
The TBLRDH and TBLWTH instructions are used to read
or write to bits<23:16> of program memory. TBLRDH
and TBLWTH can also access program memory in Word
or Byte mode.
FIGURE 5-1:
ADDRESSING FOR TABLE REGISTERS
Note:
This data sheet summarizes the features
of the dsPIC33FJXXXGPX06/X08/X10
family of devices. However, it is not
intended to be a comprehensive reference
source. To complement the information in
this data sheet, refer to Section 5. “Flash
Programming”
(DS70191)
in
the
“dsPIC33F Family Reference Manual”,
which is available from the Microchip web
site (www.microchip.com).
0
Program Counter
24 bits
Program Counter
TBLPAG Reg
8 bits
Working Reg EA
16 bits
Byte
24-bit EA
0
1/0
Select
Using
Table Instruction
Using
User/Configuration
Space Select
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