参数资料
型号: DSS2X160-01A
厂商: IXYS
文件页数: 2/2页
文件大小: 0K
描述: DIODE SCHOTTKY 100V2X160A SOT227
产品目录绘图: SOT-227, SOT-227B miniBLOC
标准包装: 10
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 980mV @ 160A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 4mA @ 100V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 160A
电压 - (Vr)(最大): 100V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
包装: 管件
其它名称: DSS2X16001A
DSS 2x160-01A
400
A
100
mA
10000
pF
I F
100
I R
10 T VJ =150°C
C T
125°C
1
T VJ =
100°C
1000
10
150°C
125°C
0.1
75°C
25°C
0.01
50°C
25°C
1
0.001
100
T VJ = 25° C
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 V
0
20
40
60
80 V 100
0
20
40
60
80 V 100
P (AV)
240
A
200
I F(AV)
160
V F
Fig. 1 Max. forward voltage
drop characteristics
180
W
160
140
120
V R
Fig. 2 Typ. reverse current I R
vs. reverse voltage V R
10000
A
I FSM
V R
Fig. 3 Typ. junction capacitance C T
versus reverse voltage V R
120
d=0.5
D C
100
d=
DC
1000
80
0.5
0.33
80
60
40
0.25
0.17
0.08
40
20
0
0
40
80
120 C 160
0
0
50
100
150 A 200
100
10
100
1000
μs 10000
0.4
K/W
Z thJC
0.1
T C
Fig. 4 Avg. forward current I F(AV)
vs. case temperature T C
D=0.5
0.33
0.25
0.17
0.08
Single Pulse
I F(AV)
Fig. 5 Forward power loss characteristics
t P
0.01
(Thermal Resistance)
DSS2x160-01A
Note: All curves are per diode
0.001
0.01
0.1
1 s
10
t
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case at various duty cycles
IXYS reserves the right to change limits, Conditions and dimensions.
? 2005 IXYS All rights reserved
2-2
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PDF描述
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