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参数资料
| 型号： | DTA143ES |
| 厂商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | DTA/DTC SERIES |
| 中文描述： | 差热/ DTC系列 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 704K |
| 代理商： | DTA143ES |
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DTA143T | DIGITAL TRANSISTOR |
| DTC114W | DIGITAL TRANSISTOR |
| DTC115E | DIGITAL TRANSISTOR |
| DTC115G | DIGITAL TRANSISTOR |
| DTC124G | Replaced by OPA2690 : SpeedPlus(TM) Dual Wideband, Voltage Feedback Operational Amplifier with Disable 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DTA143ESA | 功能描述:两极晶体管 - BJT Digital Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DTA143ESATP | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP 50V 100MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DTA143EUA | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Tr,BRT,PNP, 50V/100mA, 4.7/4.7 Ohm,SC-70 |
| DTA143EUA RR | 功能描述:两极晶体管 - BJT Digital Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DTA143EUAT106 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP 50V 100MA SOT-323 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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