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参数资料
| 型号： | DTA143ZE |
| 厂商： | Rohm CO.,LTD. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Digital Transistor(Built in Resistor) |
| 中文描述： | 数字晶体管（内置电阻） |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | DTA143ZE |
365
Transistors
DTA143ZE/DTA143ZUA/DTA143ZKA/DTA143ZSA
Electrical characteristic curves
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DTA143ZUA | Digital Transistor(Built in Resistor) |
| DTA144TCA | Digital Transistor(Built in Resistor) |
| DTA144TE | Digital Transistor(Built in Resistor) |
| DTA144TKA | Digital Transistor(Built in Resistor) |
| DTA144WE | Digital Transistor(Built in Resistor) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DTA143ZE RK | 功能描述:两极晶体管 - BJT Digital Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DTA143ZEATL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| DTA143ZEBTL | 功能描述:TRAN DIGITL PNP 50V 100MA EMT3F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
| DTA143ZET1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DTA143ZET1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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