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参数资料
| 型号： | DTB113ES |
| 厂商： | Rohm CO.,LTD. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Digital Transistor(Built in Resistor) |
| 中文描述： | 数字晶体管（内置电阻） |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | DTB113ES |
373
Transistors
DTB113EK / DTB113ES
Electrical characteristics (Ta = 25 C)
Packaging specifications
Electrical characteristic curves
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DTB122 | Digital transistor (built-in resistors) |
| DTB122JK | THYRISTOR 275V 100A SMB DO-214AA |
| DTD122JK | Digital transistor (built-in resistors) |
| DTB123E | Digital transistors (built-in resistors) |
| DTB123 | THYRISTOR 320V 100A SMB DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DTB113ESTP | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP 50V 500MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DTB113EV | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
| DTB113Z | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:DIGITAL TRANSISTOR |
| DTB113ZA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
| DTB113ZA3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全称:Cystech Electonics Corp. 功能描述:NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) |
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