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参数资料
| 型号： | DTD113ZS |
| 厂商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Digital transistors (built-in resistors) |
| 中文描述： | 数字晶体管（内置电阻） |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | DTD113ZS |
450
Transistors
DTD113ZK / DTD113ZU / DTD113ZS
Absolute maximum ratings (Ta = 25 C)
Electrical characteristics (Ta = 25 C)
Packaging specifications
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DTD113ZS3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Mini size of Discrete semiconductor elements |
| DTD113ZSTP | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS DIGI BJT NPN 500MA 3PIN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DTD113ZU | 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPN SM DIGITAL TRANSISTOR UMT3 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPN SM DIGITAL TRANSISTOR UMT3 - free partial T/R at 500. |
| DTD113ZUS3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Mini size of Discrete semiconductor elements |
| DTD113ZUT106 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 500MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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