型号: | DXT3904 |
厂商: | DC Components Co., Ltd. |
英文描述: | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
中文描述: | 技术规格晶体管瑞展 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 99K |
代理商: | DXT3904 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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DXT3904-13 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1000mW 40Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
DXT3906 | 制造商:DCCOM 制造商全称:Dc Components 功能描述:TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
DXT3906-13 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1000mW -40Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
DXT458P5 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI?5 |
DXT458P5-13 | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |