| 型号 | vs1218替代ds1218 | vosse | |
| 封装 | dip/smd |
产品描述：
vs1218
技术参数
1、电池替换:有
2、ce控制:有
3、受控的ram数量:1
4、兼容ds1218
功能描述
vs1218 非易失控制器芯片可以将cmos ram转换为非易失性存储器。vcc使用一个精确的比较器来监测电源掉电，并且抑制具有写保护功能的芯片启动，直到电源供给恢复到正常水平。vs1218可以在vcc和电池之间选择电量较大者作供电电源。接通的电压降小于0.2v。
主要特点
1、带监控和逻辑功能的控制电路使cmos ram非易挥发
2、当超出正常工作范围时，监控vcc并有写保护作用
3、功耗电小于100na电池电流
4、上电时电池检测
5、支持冗余电池
6、工作温度：0到+70℃
7、电压范围：5v ±10%