| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| PDTD123YT,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN W/RES 50V SOT-23 | 12,000 | 3,000:$0.05400 6,000:$0.04700 15,000:$0.04000 30,000:$0.03800 75,000:$0.03500 150,000:$0.03100 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）: | 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧）: | 2.2k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）: | 10k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): | 70 @ 50mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）: | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 500nA |
| 频率 - 转换: | - |
| 功率 - 最大: | 250mW |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装: | TO-236AB |
| 包装: | 带卷 (TR) |