| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB054N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | 2,000 | 1:$1.99000 10:$1.70900 25:$1.53840 100:$1.39600 250:$1.25356 500:$1.08262 |
| IPB65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | 0 | 1:$5.58000 10:$5.02000 25:$4.55560 100:$4.09070 250:$3.71880 500:$3.25396 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 5.4 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 58µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 82nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 6600pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 115W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装: | PG-TO263-2 |
| 包装: | 剪切带 (CT) |