分离式半导体产品 IPI126N10N3 G品牌、价格、PDF参数

IPI126N10N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPI126N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3 0 1:$2.02000
10:$1.82800
25:$1.63160
100:$1.46860
250:$1.30540
500:$1.14222
1,000:$0.94642
2,500:$0.88114
5,000:$0.84851
IPI126N10N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 58A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12.6 毫欧 @ 46A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 46µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 50V
功率 - 最大: 94W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: PG-TO262-3
包装: 管件