分离式半导体产品 IPD30N03S2L-07品牌、价格、PDF参数
IPD30N03S2L-07 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| IPD30N03S2L-07 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
0 |
2,500:$0.35322
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IPD30N03S2L-07 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
逻辑电平门
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
30V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
30A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
6.7 毫欧 @ 30A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
2V @ 85µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
68nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
1900pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
136W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
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| 供应商设备封装: |
PG-TO252-3
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| 包装: |
带卷 (TR)
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