分离式半导体产品 IXFH10N100P品牌、价格、PDF参数

IXFH10N100P • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXFH10N100P IXYS MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD 0 120:$4.45875
IXTP1R4N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220 0 150:$2.78800
IXTU06N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 0 150:$2.78800
IXFH10N100P • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.4 欧姆 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3030pF @ 25V
功率 - 最大: 380W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件