| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | 0 | 500:$5.81300 1,000:$5.06300 5,000:$4.68800 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | GaNFET N 通道，氮化镓 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 25 毫欧 @ 6A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 480pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | - |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 7-SMD，凸引线 |
| 供应商设备封装: | 7-LGA（3.6x1.6） |
| 包装: | 带卷 (TR) |