元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | 0 | 1:$6.00000 10:$5.40000 100:$4.40000 250:$4.00000 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | GaNFET N 通道,氮化镓 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 25A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 7 毫欧 @ 25A,5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 5mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 8nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 850pF @ 50V |
功率 - 最大: | - |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 模具剖面(11 焊条) |
供应商设备封装: | 模具剖面(11 焊条) |
包装: | 剪切带 (CT) |