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IC/电子元器件

分离式半导体产品 BSP295E6327T品牌、价格、PDF参数

BSP295E6327T • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSP295E6327T Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 0 1:$0.94000
10:$0.75500
100:$0.56620
1,000:$0.32504
BSP295E6327T Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 0 1,000:$0.32504
5,000:$0.29358
10,000:$0.28834
BSP171PE6327T Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 0
BSP171PE6327T Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 0
BSP170PE6327T Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 0
BSP170PE6327T Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 0
BSP129E6327T Infineon Technologies MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 0
BSP129E6327T Infineon Technologies MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 0
BSP295E6327T • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫欧 @ 1.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.8V @ 400µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 368pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装: PG-SOT223-4
包装: 剪切带 (CT)
电子产品资料
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