分离式半导体产品 FQD6N60CTM_WS品牌、价格、PDF参数
FQD6N60CTM_WS • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| FQD6N60CTM_WS |
Fairchild Semiconductor |
MOSFET N-CH 600V DPAK |
0 |
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| FQA28N50_F109 |
Fairchild Semiconductor |
MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3PN |
0 |
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FQD6N60CTM_WS • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
600V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
4A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
2 欧姆 @ 2A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
4V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
20nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
810pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
80W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
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| 供应商设备封装: |
D-Pak
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| 包装: |
带卷 (TR)
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