分离式半导体产品 SQM110N05-06L-GE3品牌、价格、PDF参数

SQM110N05-06L-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SQM110N05-06L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 55V 110A TO263 0 800:$2.44650
IRFBC40ASTRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK 0 800:$2.39850
SQM110N05-06L-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 110A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4440pF @ 25V
功率 - 最大: 157W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263(D2Pak)
包装: 带卷 (TR)