分离式半导体产品 SQD40N06-25L-GE3品牌、价格、PDF参数

SQD40N06-25L-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SQD40N06-25L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V 30A TO252 0 2,000:$1.70639
SQD40N06-25L-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 22 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 25V
功率 - 最大: 1.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252,(D-Pak)
包装: 带卷 (TR)