元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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SIR882ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK | 0 | 1:$2.84000 25:$2.18720 100:$1.98450 250:$1.78200 500:$1.53900 1,000:$1.29600 |
SIR882ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK | 0 | 3,000:$1.09350 6,000:$1.05300 15,000:$1.01250 30,000:$0.99225 75,000:$0.97200 |
SIE882DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 25V POLARPAK | 0 | 3,000:$1.09350 |
IRL640STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | 0 | 800:$1.09305 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 60A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 8.7 毫欧 @ 20A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.8V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1975pF @ 50V |
功率 - 最大: | 83W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装: | PowerPAK? SO-8 |
包装: | 剪切带 (CT) |