分离式半导体产品 SI4448DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI4448DY-T1-GE3 品牌、价格
元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
SI4448DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC |
0 |
2,500:$1.51620
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SIE816DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 60V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
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SIE808DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
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SIE806DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
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SI4448DY-T1-GE3 PDF参数
类别: |
分离式半导体产品
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FET 型: |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点: |
标准
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漏极至源极电压(Vdss): |
12V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
50A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
1.7 毫欧 @ 20A,4.5V
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Id 时的 Vgs(th)(最大): |
1V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs: |
150nC @ 4.5V
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输入电容 (Ciss) @ Vds: |
12350pF @ 6V
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功率 - 最大: |
7.8W
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安装类型: |
表面贴装
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封装/外壳: |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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供应商设备封装: |
8-SOICN
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包装: |
带卷 (TR)
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