| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25303W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | 0 | 1:$1.02000 10:$0.89200 25:$0.78800 100:$0.68670 250:$0.59776 500:$0.50882 1,000:$0.40755 |
| CSD25303W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | 0 | 3,000:$0.35800 6,000:$0.33300 15,000:$0.32100 30,000:$0.30900 75,000:$0.30400 150,000:$0.29600 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 58 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 4.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 1.5W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 6-UFBGA，DSBGA |
| 供应商设备封装: | 6-DSBGA（1x1.5） |
| 包装: | Digi-Reel® |