| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| BUZ32 H | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 | 490 | 1:$1.62000 10:$1.46000 25:$1.30320 100:$1.17290 250:$1.04260 500:$0.91228 1,000:$0.75589 2,500:$0.70376 5,000:$0.67769 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 400 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 530pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 75W |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 供应商设备封装: | PG-TO220-3 |
| 包装: | 管件 |