| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| STB6NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK | 545 | 1:$1.94000 10:$1.75100 25:$1.56880 100:$1.41060 250:$1.25248 500:$1.09440 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 920 毫欧 @ 2.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 420pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 45W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装: | D2PAK |
| 包装: | 剪切带 (CT) |