| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| DMN2013UFDE-7 | Diodes Inc | MOSF N CH 20V 10.5A U-DFN2020-6 | 3,000 | 3,000:$0.20150 6,000:$0.18850 15,000:$0.17550 30,000:$0.16640 75,000:$0.16250 150,000:$0.15600 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 11 毫欧 @ 8.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 25.8nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2453pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 660mW |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 6-UDFN |
| 供应商设备封装: | * |
| 包装: | 带卷 (TR) |