| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4136DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.65800 5,000:$0.62510 12,500:$0.59925 25,000:$0.58280 |
| SI7615DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 | 2,750 | 1:$1.79000 25:$1.41000 100:$1.26900 250:$1.10452 500:$0.98700 1,000:$0.77550 |
| SI7615DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 | 2,750 | 1:$1.79000 25:$1.41000 100:$1.26900 250:$1.10452 500:$0.98700 1,000:$0.77550 |
| SI7615DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 | 0 | 3,000:$0.65800 6,000:$0.62510 15,000:$0.59925 30,000:$0.58280 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 46A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 2 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 4560pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 7.8W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装: | 8-SOICN |
| 包装: | 带卷 (TR) |