元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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DMN2015UFDE-7 | Diodes Inc | MOSF N CH 20V 10.5A U-DFN2020-6E | 3,000 | 3,000:$0.20150 6,000:$0.18850 15,000:$0.17550 30,000:$0.16640 75,000:$0.16250 150,000:$0.15600 |
DMP1245UFCL-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN | 3,000 | 3,000:$0.21750 6,000:$0.20250 15,000:$0.19500 30,000:$0.18750 75,000:$0.18450 150,000:$0.18000 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 10.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 11.6 毫欧 @ 8.5A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 45.6nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1779pF @ 10V |
功率 - 最大: | 660mW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 6-UDFN |
供应商设备封装: | * |
包装: | 带卷 (TR) |