| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4190DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC | 3,793 | 1:$2.77000 25:$2.13320 100:$1.93550 250:$1.73800 500:$1.50100 1,000:$1.26400 |
| SUD45P03-09-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 30V DPAK | 3,837 | 1:$1.45000 25:$1.14320 100:$1.02870 250:$0.89536 500:$0.80010 1,000:$0.62865 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 8.8 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2000pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 7.8W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装: | 8-SOICN |
| 包装: | Digi-Reel® |