| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB036N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 | 2,204 | 1:$7.24000 10:$6.51500 25:$5.91160 100:$5.30840 250:$4.82580 500:$4.22258 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 120V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.6 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 270µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 211nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 13800pF @ 60V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装: | PG-TO263-7 |
| 包装: | 剪切带 (CT) |