| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB107N20NA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 | 1,000 | 1,000:$4.99838 2,000:$4.81325 5,000:$4.62813 10,000:$4.53556 25,000:$4.44300 |
| IPP048N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 | 296 | 1:$4.78000 10:$4.26700 25:$3.84000 100:$3.49870 250:$3.15740 500:$2.83312 1,000:$2.38938 2,500:$2.26991 5,000:$2.17604 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 10.7 毫欧 @ 88A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 270µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 7100pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装: | PG-TO263-3 |
| 包装: | 带卷 (TR) |