| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB031NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | 1,000 | 1,000:$1.60986 2,000:$1.52937 5,000:$1.46612 10,000:$1.42588 25,000:$1.37988 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.1 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 3.8V @ 155µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 117nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 8130pF @ 37.5V |
| 功率 - 最大: | 214W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装: | PG-TO263-2 |
| 包装: | 带卷 (TR) |