| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| BSB165N15NZ3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 | 5,000 | 5,000:$1.96439 10,000:$1.91047 25,000:$1.84884 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 45A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 16.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 110µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2800pF @ 75V |
| 功率 - 最大: | 78W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 3-WDSON |
| 供应商设备封装: | MG-WDSON-2，CanPAK M? |
| 包装: | 带卷 (TR) |