| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| STL18NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT | 3,000 | 1:$3.92000 10:$3.50900 25:$3.15520 100:$2.86960 250:$2.59760 500:$2.32560 1,000:$1.95840 |
| STP18N55M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB | 915 | 1:$3.22000 10:$2.87500 25:$2.58760 100:$2.35750 250:$2.12752 500:$1.90900 1,000:$1.61000 2,500:$1.52950 5,000:$1.47200 |
| STL18NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT | 0 | 3,000:$1.80880 6,000:$1.74080 15,000:$1.68640 30,000:$1.63200 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 310 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1000pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 110W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 5-PowerVDFN |
| 供应商设备封装: | 5-PowerFlat? HV（8x8） |
| 包装: | 剪切带 (CT) |