分离式半导体产品 IPI111N15N3 G品牌、价格、PDF参数
IPI111N15N3 G • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| IPI111N15N3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3 |
0 |
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| BSD316SN H6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363 |
0 |
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| BSD214SN H6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363 |
0 |
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| IPP037N08N3 G E8181 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 |
0 |
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| IPS110N12N3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3 |
0 |
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| BSS816NW L6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 |
0 |
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IPI111N15N3 G • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
150V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
83A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
11.1 毫欧 @ 83A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
4V @ 160µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
55nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
3230pF @ 75V
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| 功率 - 最大: |
214W
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| 安装类型: |
通孔
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| 封装/外壳: |
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
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| 供应商设备封装: |
PG-TO262-3
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| 包装: |
管件
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