| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| NP80N055PDG-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 | 1,000 | 1,000:$0.72750 2,000:$0.67900 5,000:$0.64505 10,000:$0.61838 25,000:$0.60140 50,000:$0.58200 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 6.6 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 1.8W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装: | TO-263 |
| 包装: | 带卷 (TR) |