| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| APTGT35H120T3G | Microsemi Power Products Group | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | 0 | 14:$62.78857 |
| 类别: | 半导体模块 |
|---|---|
| IGBT 类型: | 沟道和场截止 |
| 配置: | 全桥反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）: | 2.1V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）: | 55A |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 250µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies): | 2.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 208W |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 是 |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | SP3 |
| 供应商设备封装: | SP3 |