半导体模块 APTGT200SK170D3G品牌、价格、PDF参数

APTGT200SK170D3G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
APTGT200SK170D3G Microsemi Power Products Group IGBT 1700V 400A 1250W D3 0 10:$148.48000
APTGT300A60D3G Microsemi Power Products Group IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 0 10:$149.15900
APTGT225DA170G Microsemi Power Products Group IGBT 1700V 340A 1250W SP6 0 10:$149.31500
APTGL325DA120D3G Microsemi Power Products Group IGBT 1200V 420A 1500W D3 0 10:$149.64100
APTGL325SK120D3G Microsemi Power Products Group IGBT 1200V 420A 1500W D3 0 10:$149.64100
APTGT150DH120G Microsemi Power Products Group IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 0 10:$151.04300
APTGF150DH120G Microsemi Power Products Group IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6 0 10:$151.99200
APTGT300A60G Microsemi Power Products Group IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 0 10:$153.49300
APTGF250A60D3G Microsemi Power Products Group IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 0 10:$155.90100
APTGF660U60D4G Microsemi Power Products Group IGBT 600V 860A 2800W D4 0 10:$157.75600
APTGT200SK170D3G • PDF参数
类别: 半导体模块
IGBT 类型: 沟道和场截止
配置: 单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.4V @ 15V,200A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 400A
电流 - 集电极截止(最大): 5mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 17nF @ 25V
功率 - 最大: 1250W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: D3
供应商设备封装: D3