半导体模块 APTGT150H170G品牌、价格、PDF参数

APTGT150H170G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
APTGT150H170G Microsemi Power Products Group IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 0 10:$262.48800
APTGT150H170G • PDF参数
类别: 半导体模块
IGBT 类型: 沟道和场截止
配置: 全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.4V @ 15V,150A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 250A
电流 - 集电极截止(最大): 350µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 13.5nF @ 25V
功率 - 最大: 890W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP6
供应商设备封装: SP6