半导体模块 IXFN170N30P品牌、价格、PDF参数

IXFN170N30P • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXFN170N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B 0 20:$32.19000
IXTN200N10L2 IXYS TRANS MOSFET 100V 178A SOT-227 0 20:$34.59500
VMM45-02F IXYS MOSFET MOD PHASE 200V TO-240AA 0 12:$34.61333
IXFN170N30P • PDF参数
类别: 半导体模块
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 300V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 138A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫欧 @ 85A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 258nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 20000pF @ 25V
功率 - 最大: 890W
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
包装: 管件