分离式半导体产品 ALD1110EPAL品牌、价格、PDF参数
ALD1110EPAL • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| ALD1110EPAL |
Advanced Linear Devices Inc |
MOSFET N-CH ADJ DUAL 8PDIP |
0 |
50:$2.63260
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| ALD1110ESAL |
Advanced Linear Devices Inc |
MOSFET N-CH ADJ DUAL 8SOIC |
0 |
50:$2.63260
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| ALD1101BPAL |
Advanced Linear Devices Inc |
MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP |
0 |
50:$3.48760
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| ALD1102BPAL |
Advanced Linear Devices Inc |
MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8PDIP |
0 |
50:$3.48760
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ALD1110EPAL • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
2 个 N 沟道（双）
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
10V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
3mA
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
500 欧姆 @ 5V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
1V @ 1µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
-
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
600mW
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| 安装类型: |
通孔
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| 封装/外壳: |
8-DIP（0.300"，7.62mm）
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| 供应商设备封装: |
8-PDIP
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| 包装: |
管件
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