分离式半导体产品 SI4569DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4569DY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4569DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC 0 2,500:$0.67905
SI7904DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH D-S 20V 1212-8 0 3,000:$0.67200
SI7214DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH D-S 30V 1212-8 0 3,000:$0.67200
SI7228DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8 0 3,000:$0.61600
SIZ720DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR 0 3,000:$0.60900
SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR 5 1:$1.63000
25:$1.29000
100:$1.16100
250:$1.01052
500:$0.90300
1,000:$0.70950
SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR 5 1:$1.63000
25:$1.29000
100:$1.16100
250:$1.01052
500:$0.90300
1,000:$0.70950
SI4569DY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7.6A,7.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 855pF @ 20V
功率 - 最大: 3.1W,3.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)