| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SIZ710DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR | 0 | 3,000:$0.60200 6,000:$0.57190 15,000:$0.54825 30,000:$0.53320 75,000:$0.51600 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 16A，35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 6.8 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 820pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 27W，48W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 6-PowerPair? |
| 供应商设备封装: | 6-PowerPair? |
| 包装: | 带卷 (TR) |