| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SI5908DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1206-8 | 0 | 3,000:$0.56000 6,000:$0.53200 15,000:$0.51000 30,000:$0.49600 75,000:$0.48000 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 40 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.1W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装: | 1206-8 ChipFET? |
| 包装: | 带卷 (TR) |