| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4500BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.43680 5,000:$0.41496 12,500:$0.39780 25,000:$0.38688 62,500:$0.37440 |
| SI3586DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | 695 | 1:$1.10000 25:$0.87000 100:$0.78300 250:$0.68152 500:$0.60900 1,000:$0.47850 |
| SI3586DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | 695 | 1:$1.10000 25:$0.87000 100:$0.78300 250:$0.68152 500:$0.60900 1,000:$0.47850 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | N 和 P 沟道 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 6.6A，3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 20 毫欧 @ 9.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.3W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装: | 8-SOICN |
| 包装: | 带卷 (TR) |