| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| PMWD26UN,518 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP | 0 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 30 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 700mV @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 23.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1366pF @ 16V |
| 功率 - 最大: | 3.1W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装: | 8-TSSOP |
| 包装: | 带卷 (TR) |